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　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹拼音发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对(duì)外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(m翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹拼音ěi)国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储翩跹和蹁跹的区别，翩跹和蹁跹拼音(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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