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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(b清朝八王之乱是哪八王，西晋八王之乱是哪八王àn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(清朝八王之乱是哪八王，西晋八王之乱是哪八王quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占(zhàn)比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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