大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定(dìng)推(1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTtuī)进高水平(píng)对(duì)外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CTrc="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；20221克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CT年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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