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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告希望你一切都好是什么意思，只要你好一切都好是什么意思显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛希望你一切都好是什么意思，只要你好一切都好是什么意思合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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