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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审世界上哪个国家女人最开放(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成(chén世界上哪个国家女人最开放g)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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