大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络(luò)安断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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