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  美光公司在华销售的产品未通氯化钾相对原子质量是多少,过网络安全审查

  据网信办消息,日前(qián),网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患,对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险,影响我国国家安全(quán)。为此,网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá),目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)安全,是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

  半导体突发!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中国网(wǎng)信网发文称,为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》,网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu),也是全球存储芯片巨头之一,2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根据市场咨询机构 Omdia(I氯化钾相对原子质量是多少,HS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市(shì)公司中,江波龙、佰维存(cún)储等公司披(pī)露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì),江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē),确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供应优势,公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤,同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露,薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长江存储被加入美国(guó)限制名单,设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科技(薄(báo)膜(mó)沉(chén)积)等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升,以及存储业务占比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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