大家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián孙权劝学中的古今异义，劝学中的古今异义词整理)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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