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抖音哈拉少什么意思,抖音哈拉少是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)

  据网信办消(xiāo)息(xī),日前,网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn),影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此,网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全,是维护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链安全(quán),防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对(duì)美光公(gōng)司(Micron)在华销(xi抖音哈拉少什么意思,抖音哈拉少是什么意思āo)售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之(zhī)一,2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星(xīng)电子、 SK 海力士、抖音哈拉少什么意思,抖音哈拉少是什么意思美光在全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公司供(gōng)应商。

  美光在(zài)江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng),至少已经不是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng),采购约31亿元(yuán),占比33.52%;2022年(nián),江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波(bō)龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng),巩固公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露,薄(báo)膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计(jì)为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设备国产(chǎn)化(huà)进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份(fèn)额提升(shēng),以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上(shàng)海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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