大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施安氧化铁和稀盐酸反应现象及方程式，氧化铁和稀盐酸反应现象原因(ān)全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致(zhì)下(xià)游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成氧化铁和稀盐酸反应现象及方程式，氧化铁和稀盐酸反应现象原因为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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