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　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bà中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样n)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(中国人在俄罗斯安全吗，中国人在俄罗斯怎么样zhuǎn)而采购(gòu)国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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