大家好(hǎo)，来(lái)看一则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通(tōng)过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露(lù)过美光等(d2l是多少毫升 2l是多少升ěng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建立国内(n2l是多少毫升 2l是多少升èi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 2l是多少毫升 2l是多少升