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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法(宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期pan style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安宁波华茂外国语学校学费多少高中，宁波华茂外国语学校学费多少一学期全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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