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一厢情愿是什么意思

一厢情愿是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一则突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络安全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

  审查发现,美(měi)光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ),网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设(shè)施(shī)安全,是维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国市场。

  半导体突发(fā)!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全(quán),防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头,也是全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一(yī),2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储等公(gōng一厢情愿是什么意思)司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和(hé)5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)一厢情愿是什么意思数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约,确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性,巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析(xī),如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限(xiàn)制,或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài),2 维一厢情愿是什么意思到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公司份(fèn)额提升,以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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