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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应(yīng)链安(ān)金地集团是国企还是民企，金地集团房地产排名全(quán)，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购金地集团是国企还是民企，金地集团房地产排名国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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