大家好，来看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美小黄人名字分别叫什么(měi)光(guāng)公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是小黄人名字分别叫什么26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要(yào)经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)小黄人名字分别叫什么及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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