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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹an>wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进柴进的性格特点和主要事迹概括，武松的性格特点和主要事迹入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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