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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来(lái)自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的(de)生(shēng)产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D N概率分布函数右连续怎么理解，什么叫分布函数的右连续AND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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