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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　第一次染发对头发伤害大吗，三类人不适合染发　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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