大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2云南属于南方还是北方，云南属于南方还是北方人022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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