大家好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大(dà)和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游正负数加减法则顺口溜有哪些题目，正负数加减法则顺口溜有哪些呢建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设(shè)备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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