大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手我国内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产第一次见面握手是左手还是右手，与人握手是左手还是右手(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未(wèi)来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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