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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(p1h等于多长时间怎么算，1h等于多少1h等于多长时间怎么算，1h等于多少时间时间íng)对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的(de)加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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