大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，km是公里吗，1km等于多少公里为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储km是公里吗，1km等于多少公里厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对(duì)产品km是公里吗，1km等于多少公里trong>

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。