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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。苏州区号是多少为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó苏州区号是多少)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东(dōng)京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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