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　　大家好，来(lái)看一(yī)则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是大使相当于什么级别的干部 大使的级别是部级吗26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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