大家(jiā)好，来看(kàn)一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(z俄罗斯为啥打不赢乌克兰，乌克兰为什么这么难打i)、 铠(kǎi)侠、西(x俄罗斯为啥打不赢乌克兰，乌克兰为什么这么难打ī)部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能俄罗斯为啥打不赢乌克兰，乌克兰为什么这么难打会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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