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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国(guó)家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳徐海为是谁？定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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