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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光(guāng)公司(sī)在华销(xiā手机话费交了能退吗o)售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(s手机话费交了能退吗hì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提(tí)升，以及(jí)存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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