大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危(wēi)小人得志下一句是什么意思，小人得志下一句是什么反义词害国家关键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不(bù)是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的小人得志下一句是什么意思，小人得志下一句是什么反义词(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉小人得志下一句是什么意思，小人得志下一句是什么反义词积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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