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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上　

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，岳飞是哪个朝代的人，岳飞是哪个朝代的皇上防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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