大家好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？g>美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客西气东输的起点与终点，西气东输的起止点是哪里？户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长。

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