大家好，来看一则(zé)突(tū)发(fā)消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōn木梳子是桃木好还是檀木好，木梳子是桃木好还是檀木好呢g)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 O木梳子是桃木好还是檀木好，木梳子是桃木好还是檀木好呢mdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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