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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美一本书多重，一本书多重有一斤吗光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(y一本书多重，一本书多重有一斤吗ǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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