大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国国家(东南亚有几个国家 东南亚是泰国吗jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xín东南亚有几个国家 东南亚是泰国吗g)业龙头，也是(shì)全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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