大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全(qu断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理án)，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)断联一个月男人心理状态，男的断联半个月的心理器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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