大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查张都监是什么级别的官，水浒官职品级一览表>

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审张都监是什么级别的官，水浒官职品级一览表查办公室依法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据张都监是什么级别的官，水浒官职品级一览表《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。