大家好(hǎo)，来(lái)看一(yī)则(zé)突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(几十块钱的阿富汗玉是真的吗zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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