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热忱用来形容什么词,热忱用来形容什么事物 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家好,来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

  审查发现,热忱用来形容什么词,热忱用来形容什么事物ng>美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险,影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此,网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī),我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此次(cì)对美光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突发!中国出手:停止采(cǎi)购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文(wén)称(chēng),为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán),防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风(fēng)险,维护国家安全,依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》,网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu),也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī),2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存)市场份额约为(wèi) 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中(zhōng),江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降,至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合(hé)作。

  有券商此前就分(fēn)析(xī),如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì),或将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài),2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔,未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽,催生更多(duō)设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为(wèi)75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提(tí)升(shēng),以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收(shōu)入增长(zhǎng)。

 

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