大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的(de)必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng流量是gb大还是mb大，gb和mb谁大一点)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速(sù流量是gb大还是mb大，gb和mb谁大一点)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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