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　　美光公司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市(shì)场。

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　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部(bù)数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储莫代尔与粘纤区别 莫代尔是粘纤的一种吗等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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