大(dà)家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是(shì)维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗x;'>美国领土超过中国了吗，美国领土比中国领土大吗被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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