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北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环

北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一则突发消息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

  据网信办消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安(ān)全审查(chá)。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查,目的是防范产品(pǐn)网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全,是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开放,只要遵守中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  3月31日,中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称,为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险,维护国家安(ān)全,依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储芯片(piàn)行业龙头,也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

  美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降,至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大(d北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环à)、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(sh北京亦庄开发区属于哪个区的 北京亦庄是几环àng)下(xià)游(yóu)建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就(jiù)分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士,国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽,催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān),设备国产化进程加速,看好拓(tuò)荆科技(薄膜沉积)等相关公司份额提(tí)升,以及存储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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