大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大(dà)安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要相亲对象不回消息算拒绝吗，相亲女拒绝你一般有三种暗示措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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