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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服(fú)务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　1cc的水等于多少克，1cc水是多少克"http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212521.png">

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cú1cc的水等于多少克，1cc水是多少克n)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的1cc的水等于多少克，1cc水是多少克华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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