大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)作出不予(yǔ文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求)通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(文章中副标题的格式怎么写，文章中副标题的格式要求chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份(fèn)额(é)提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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