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　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华(hu高级合伙人律师一年收入多少，律师合伙人分几级á)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片(pià高级合伙人律师一年收入多少，律师合伙人分几级n)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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