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　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(青金石价格一般多少，青金石价格一般多少一克luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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