大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)环境污染有哪些方面，环境污染有哪些英语存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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