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　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关手机话费交了能退吗键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(b手机话费交了能退吗ō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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